用于半导体存储器的传感放大器驱动电路

专利权的终止

摘要

通过导通或截止外部电压端与接地端之间的驱动晶体管来控制高密度半导体存储器的传感放大器的传感放大器驱动电路，它包括连接到驱动晶体管栅极的偏置电路，以控制其栅压，降低传感放大器驱动信号的峰值电流。而且，以具有双线性斜率的波形产生驱动信号，使噪声功率下降。该偏置电路连接到箝位电路实现对所述驱动电路有效恢复电压的箝位。所述驱动电路还包括含有两个以上顺序启动镜象电流电路的恒定电流电路使传感放大器驱动信号具有稳定双线性斜率。

基本信息

专利标题：

用于半导体存储器的传感放大器驱动电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1056763A

申请号：

CN91103355.6

公开（公告）日：

1991-12-04

申请日：

1991-05-20

授权号：

CN1023623C

授权日：

1994-01-26

发明人：

闵东暄黄泓善赵秀仁陈大济

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

吕晓章

优先权：

CN91103355.6

主分类号：

G11C11/40

IPC分类号：

G11C11/40 G11C7/06

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C11/08

应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板

G11C11/21

应用电元件的

G11C11/34

应用半导体器件的

G11C11/40

应用晶体管的

法律状态

2011-07-06 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101084688013
IPC(主分类) : G11C 11/40
专利号 : ZL911033556
申请日 : 19910520
授权公告日 : 19940126
期满终止日期 : 20110520

2002-06-12 ：

其他有关事项

1994-01-26 ：

授权

1993-09-08 ：

实质审查请求的生效

1991-12-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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