半导体等离子处理设备及方法
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摘要
一种半导体等离子处理设备，消除了电感耦合等离子源经常产生的侧边基团浓度较高的现象，从而提高了其中的蚀刻均匀性。该设备包括：远程等离子源，用于通过激活处理气体而产生大量的基团和离子；处理室，其具有让被激活的处理气体通过的入口；设置在处理室中的基座，在该基座上安置晶片；以及设置在处理室中的电感耦合等离子源，用于向被激活的处理气体提供高频能量。利用所述的远程和电感耦合等离子源，产生大量的足以进行蚀刻过程的基团和离子，因此，蚀刻反应活泼地进行，从而提高蚀刻效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体等离子处理设备及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1842241A
申请号 ：
CN200610001645.2
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金炯俊李奇英
申请人 ：
细美事有限公司
申请人地址 ：
韩国忠清南道
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
武玉琴
优先权 ：
CN200610001645.2
主分类号 ：
H05H1/46
IPC分类号 ：
H05H1/46 H01L21/00 H01L21/3065 H01L21/311 H01L21/3213
相关图片
法律状态
2009-12-02 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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