等离子喷头及半导体用大气等离子清洗设备
授权
摘要
本申请提供一种等离子喷头及半导体用大气等离子清洗设备，涉及半导体加工技术领域。等离子喷头包括外壳、管状电极和绝缘体。外壳内部具有容纳腔，管状电极设置于容纳腔内，管状电极的两侧与外壳的内壁间填充有绝缘体且将容纳腔分隔成第一腔室和第二腔室，外壳的进气口与第一腔室连通，外壳的喷气口与第二腔室连通，第一腔室与第二腔室通过管状电极的内部通道连通，管状电极的出气口与外壳的内壁之间具有间隙。等离子喷头可以应用于半导体用大气等离子清洗设备，并且可以允许气流从管状电极内部通过，提高等离子体的均匀性，达到媲美于真空等离子清洗的效果，甚至较之更为出色，有效解决了真空等离子清洗的效率不高的问题。
基本信息
专利标题 ：
等离子喷头及半导体用大气等离子清洗设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122151525.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-07
授权号 ：
CN216161704U
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
张曹
申请人 ：
常州井芯半导体设备有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市武进区常武中路18-67号中国以色列常州创新园10#号厂房7层701-36
代理机构 ：
常州市天龙专利事务所有限公司
代理人 ：
于雅洁
优先权 ：
CN202122151525.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 B08B7/00 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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