半导体探测器的保护装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明为一种硅锂、锗锂或高纯锗半导体探测器的保护装置，由充满了液氮容器中不断溢出的氮气的保护罩组成，可以作到不附加光子损失条件下，在相对温度达95％的环境中有效地保护半导体探测器的铍窗免受腐性气体的腐蚀，并同时解决了高压引入端和前置放大器的干燥问题，保证了探测器的灵敏度的同时，大大延长了探测器的寿命。
基本信息
专利标题 ：
半导体探测器的保护装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86107440A
申请号 ：
CN86107440.8
公开（公告）日 ：
1988-06-29
申请日 ：
1986-12-15
授权号 ：
CN1009886B
授权日 ：
1990-10-03
发明人 ：
吴万侯
申请人 ：
中国有色金属工业总公司矿产地质研究院
申请人地址 ：
广西桂林市三里店
代理机构 ：
中国有色金属工业总公司专利事务所
代理人 ：
王俭
优先权 ：
CN86107440.8
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 G01T1/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
1993-10-13 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-05-29 ：
授权
1990-10-03 ：
审定
1989-05-31 ：
实质审查请求
1988-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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