一种功率半导体器件保护装置
授权
摘要

本实用新型涉及半导体器件技术领域,具体为一种功率半导体器件保护装置,其具能够良好应对功率半导体器件于各种工况下的发热情况,并且不会给电路板带来更多灰尘,包括电路板,电路板上电连接有数个功率半导体器件,每个功率半导体器件上均安装有散热装置,散热装置包括散热块,散热块的内部均设置有通槽,并且通槽内设置有数个散热板,散热块安装于功率半导体器件上,散热块的前后两端均设置有连接块,连接块的前后两端连通有散热管,并且散热管上设置有水泵和数个散热片,数个散热片均设置于散热管的管壁上,并伸入散热管的内部,电路板的顶端通过数个支架固定有支撑网,支撑网与数个散热块之间均设置有固定结构。

基本信息
专利标题 :
一种功率半导体器件保护装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202220432479.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2022-03-02
授权号 :
CN216213398U
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
李晶
申请人 :
天津瑞祥千弘科技发展有限公司
申请人地址 :
天津市和平区西安道与长沙路交口东北侧诚基经贸中心1-2-2403
代理机构 :
北京天下创新知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张爽
优先权 :
CN202220432479.6
主分类号 :
H01L23/367
IPC分类号 :
H01L23/367  H01L23/473  H01L23/373  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置;加热装置;通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择,例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-04-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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