半导体制冷系统过热保护装置
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种半导体制冷系统热保护装置，其特征是：包括单片机、温度采集电路、MOSFET管，温度采集电路的输出端连接单片机的输入端，单片机的输出端连接MOSFET管的G极。本实用新型对利用MOSFET控制制冷芯片的电源通断，不会产生机械故障和氧化作用，能使保护装置长期地稳定工作。本实用新型保护装置控制制冷芯片电源通、断一定次数后，会保持停止制冷芯片的电源，避免了制冷芯片的电源不断地通、断而带来的故障。
基本信息
专利标题 ：
半导体制冷系统过热保护装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720048230.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-02-05
授权号 ：
CN201018268Y
授权日 ：
2008-02-06
发明人 ：
李祥兴江共恒
申请人 ：
黄龙
申请人地址 ：
516000广东省惠东县平山镇南湖广汕路107号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200720048230.0
主分类号 ：
H02H5/04
IPC分类号 ：
H02H5/04 F25B21/02 G01K7/22
法律状态
2014-03-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101581063767
IPC(主分类) : H02H 5/04
专利号 : ZL2007200482300
申请日 : 20070205
授权公告日 : 20080206
终止日期 : 20130205
号牌文件序号 : 101581063767
IPC(主分类) : H02H 5/04
专利号 : ZL2007200482300
申请日 : 20070205
授权公告日 : 20080206
终止日期 : 20130205
2008-02-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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