一种非制冷红外探测器及其制作方法
公开
摘要
本发明涉及红外探测器领域，具体涉及一种非制冷红外探测器及其制作方法，包括读出电路、MEMS器件和盖帽，盖帽的内侧设有第一吸气剂层，读出电路上对应MEMS器件的位置处设有第二吸气剂层；具体是先在读出电路上对应MEMS器件的位置处制作第二吸气剂层，然后旋涂牺牲层，接着刻蚀牺牲层，制作MEMS器件，并在有效元dummy、衬底参考元以及盲元的上方制作第三吸气剂层，最后制作盖帽，并在盖帽的内侧除对应有效元的位置之外的区域制作第一吸气剂层，将盖帽与读出电路键合，完成真空封装。本发明通过在悬空MEMS器件的下面、部分MEMS器件的上面以及盖帽内侧制作吸气剂层，可以有效地增加吸气剂的面积，增加对残余气体的吸收，提高了器件的真空度，增加了器件的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种非制冷红外探测器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114608707A
申请号 ：
CN202210078270.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄立蔡光艳马占锋高健飞王春水汪超叶帆
申请人 ：
武汉高芯科技有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼
代理机构 ：
北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴静
优先权 ：
CN202210078270.9
主分类号 ：
G01J5/02
IPC分类号 ：
G01J5/02 G01J5/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J5/00
辐射高温测定法
G01J5/02
零部件
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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