一种吸气剂悬空的非制冷红外探测器及其制作方法
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摘要

本发明涉及半导体领域,具体涉及一种吸气剂悬空的非制冷红外探测器及其制作方法,包括如下步骤:S1、在读出电路上制作金属层并图形化,在非像元区形成两个金属电极;S2、在读出电路和金属电极上制作牺牲层并图形化;S3、在步骤S2制作完成的结构上沉积吸气剂材料;S4、去除所需吸气剂图形之外的部分吸气剂材料,形成所需的吸气剂;S5、在读出电路上的像元区制作像元结构;S6、将牺牲层释放,使吸气剂悬空;S7、采用电激活的方式激活吸气剂,再进行封装。本发明将吸气剂集成到芯片端,并将吸气剂设计为悬空结构,且采用电激活,可以有效避免热激活时的高温对热敏材料的影响,还可以避免激活时产生的热对芯片的影响。

基本信息
专利标题 :
一种吸气剂悬空的非制冷红外探测器及其制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114203744A
申请号 :
CN202210136270.X
公开(公告)日 :
2022-03-18
申请日 :
2022-02-15
授权号 :
CN114203744B
授权日 :
2022-06-10
发明人 :
黄立马占锋王颖王春水高健飞
申请人 :
武汉高芯科技有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼
代理机构 :
北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 :
吴静
优先权 :
CN202210136270.X
主分类号 :
H01L27/146
IPC分类号 :
H01L27/146  H01L23/26  G01J5/48  G01J5/20  
法律状态
2022-06-10 :
授权
2022-04-05 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20220215
2022-03-18 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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