一种红外探测器芯片及其制作方法与应用
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种红外探测器芯片及其制作方法与应用，该红外探测器芯片，包括衬底层，其特征在于：所述衬底层表面设有读出电路层，所述读出电路层表面部分区域设有In电极，所述读出电路表面剩余部分区域设有绝缘层；所述In电极表面设有外延层；所述外延层表面部分区域设有绝缘层；所述外延层表面剩余部分区域设有N型电极。本发明提出了一种红外探测器的制作方法，将相关技术中的探测器芯片制作和ROIC高精度倒装共晶焊接合二为一，提出一种新的工艺路线，避免了高精度倒装共晶焊接设备及其技术，简化组件的制作路线并降低其成本。
基本信息
专利标题 ：
一种红外探测器芯片及其制作方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497244A
申请号 ：
CN202210069585.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李明阳李超崔恒刘建庆杨文奕
申请人 ：
中山德华芯片技术有限公司
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
伍传松
优先权 ：
CN202210069585.7
主分类号 ：
H01L31/0224
IPC分类号 ：
H01L31/0224 H01L31/02 H01L31/105 H01L31/18
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0224
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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