一种辐射成像探测器及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种辐射成像探测器及其制作方法,其中,辐射成像探测器包括传感器、闪烁体、光纤复合结构及附加传感器,光纤复合结构包括多条光纤,传感器、闪烁体、光纤复合结构及附加传感器依次层叠设置,入射射线经闪烁体产生荧光,位于传感器一侧的荧光直接传输至传感器,位于附加传感器一侧的荧光利用波导效应经由光纤复合结构内各光纤的纤芯传输至附加传感器。本发明比传统探测器中单个传感器或镀金属反射膜对荧光的吸收值增加一倍,大幅度提高探测器的感光效率,进而提升探测器的探测效率,有效降低辐射剂量。
基本信息
专利标题 :
一种辐射成像探测器及其制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114371497A
申请号 :
CN202011101698.8
公开(公告)日 :
2022-04-19
申请日 :
2020-10-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王宗朋陈明王静珂叶超刘德健
申请人 :
深圳市安健科技股份有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市南山区朗山路华瀚创新园办公楼A座408室
代理机构 :
深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙)
代理人 :
任哲夫
优先权 :
CN202011101698.8
主分类号 :
G01T1/29
IPC分类号 :
G01T1/29 G01T1/20 H01L27/146 F16B11/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01T
核辐射或X射线辐射的测量
G01T1/175
电源电路
G01T1/29
对辐射束流的测量,例如,测量射束位置或截面;辐射的空间分布的测量
法律状态
2022-05-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01T 1/29
申请日 : 20201015
申请日 : 20201015
2022-04-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载