辐射成像装置以及该辐射成像装置的制造方法
公开
摘要
本申请涉及辐射成像装置以及该辐射成像装置的制造方法。一种制造辐射成像装置的方法，包括：使得柔性绝缘层的第一表面与电路基板的导电部分电连接；利用保护层来覆盖导电部分的暴露部分；以及使得柔性绝缘层与基板分离，该基板与柔性绝缘层的第二表面接触。电路基板包括安装在电路基板上的集成电路。柔性绝缘层包括在第一表面上布置成二维矩阵的多个像素，以便将辐射转换成电信号。柔性绝缘层的第二表面与柔性绝缘层的第一表面相反。通过由穿过基板透射的光照射第二表面而使柔性绝缘层与基板分离。
基本信息
专利标题 ：
辐射成像装置以及该辐射成像装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628422A
申请号 ：
CN202111481871.6
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大藤将人佐佐木庆人井上正人石井孝昌
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
范莉
优先权 ：
CN202111481871.6
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 G01T1/20 G01T1/202
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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