4H－SiC雪崩光电探测器
专利权的终止
摘要
4H－SiC雪崩光电探测器，涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益，对可见光与红外光不敏感，可直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的4H－SiC雪崩光电探测器。设有n+型4H－SiC衬底，衬底上从下到上生长n型外延吸收层、n型外延倍增层和p+外延层，吸收层为非故意掺杂的本征层或掺杂浓度1×1015/cm3～1×1016/cm3的轻掺杂层；倍增层掺杂浓度1×1016/cm3～1×1018/cm3，厚度为0.05～0.5μm；p+外延层掺杂浓度至少为1×1018/cm3，厚度为0.1～0.5μm。器件表面为钝化膜，在p+外延层上设p电极，p电极上设焊盘，衬底背面设n电极。
基本信息
专利标题 ：
4H－SiC雪崩光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620156550.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-12-20
授权号 ：
CN201000897Y
授权日 ：
2008-01-02
发明人 ：
吴正云朱会丽陈厦平
申请人 ：
厦门大学
申请人地址 ：
361005福建省厦门市思明南路422号
代理机构 ：
厦门南强之路专利事务所
代理人 ：
马应森
优先权 ：
CN200620156550.3
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107 H01L31/18
法律状态
2015-02-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101597924315
IPC(主分类) : H01L 31/107
专利号 : ZL2006201565503
申请日 : 20061220
授权公告日 : 20080102
终止日期 : 20131220
号牌文件序号 : 101597924315
IPC(主分类) : H01L 31/107
专利号 : ZL2006201565503
申请日 : 20061220
授权公告日 : 20080102
终止日期 : 20131220
2008-01-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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