一种短波/中波/长波三波段红外探测器及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种短波/中波/长波三波段红外探测器，其结构包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为Te掺杂的GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层、p型InAs/GaSb超晶格接触层、p型GaSb接触层、p型InAs/InAsSb超晶格接触层、未掺杂的InAs/InAsSb超晶格中波红外吸收层、n型InAs/InAsSb超晶格接触层、n型GaSb接触层、n型InAs0.91Sb0.09接触层、非掺杂的InAs0.91Sb0.09短波红外吸收层、p型InAs0.91Sb0.09接触层。该探测器具有P‑π‑M‑N型InAs/GaSb超晶格、PIN型InAs/InAsSb超晶格和PIN型InAsSb异质结构，具有高探测率、高响应度、高量子效率、低暗电流、低串扰等优点，可提高红外探测器性能。
基本信息
专利标题 ：
一种短波/中波/长波三波段红外探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109285911A
申请号 ：
CN201811091153.6
公开（公告）日 ：
2019-01-29
申请日 ：
2018-09-19
授权号 ：
CN109285911B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
郝瑞亭郭杰刘欣星常发冉李勇顾康
申请人 ：
云南师范大学
申请人地址 ：
云南省昆明市呈贡区雨花片区1号
代理机构 ：
南京苏创专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王华
优先权 ：
CN201811091153.6
主分类号 ：
H01L31/101
IPC分类号 ：
H01L31/101 H01L31/0352 H01L31/0304 H01L31/18
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法律状态
2022-05-06 ：
授权
2019-03-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/101
申请日 : 20180919
申请日 : 20180919
2019-01-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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