一种从日盲紫外到近红外的宽波段探测器的制备方法
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摘要
一种从日盲紫外到近红外的宽波段探测器的制备方法，属于光电探测技术领域。本发明的目的是为了解决现有宽光谱探测器存在不同材料之间晶格失配大、质量低、响应速度慢等问题，所述方法为：在蓝宝石衬底上沉积Ga2O3薄膜，薄膜厚度不小于300nm，通过化学气相沉积法在蓝宝石基底上制备厚度为3nm‑6nm的二维拓扑绝缘体材料，将所述二维拓扑绝缘体材料通过湿法转移的方法转移至Ga2O3上表面，Ga2O3和二维拓扑绝缘体材料之间形成范德华异质结；利用电子束沉积的方法在二维拓扑绝缘体材料表面依次沉积Ti电极和Au电极。本发明采用范德华异质结，通过转移的方法形成异质结，而不是外延方法，克服了Ga2O3和Bi2Se3之间晶格失配而导致质量下降等问题。
基本信息
专利标题 ：
一种从日盲紫外到近红外的宽波段探测器的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112420876A
申请号 ：
CN202011412393.9
公开（公告）日 ：
2021-02-26
申请日 ：
2020-12-03
授权号 ：
CN112420876B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
矫淑杰聂伊尹卢洪亮张峻华王东博王金忠
申请人 ：
哈尔滨工业大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
代理机构 ：
哈尔滨龙科专利代理有限公司
代理人 ：
高媛
优先权 ：
CN202011412393.9
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/032 H01L31/109
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法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-03-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20201203
申请日 : 20201203
2021-02-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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