W波段射频管壳结构和制备方法
公开
摘要
本申请适用于微波封装技术领域，提供了W波段射频管壳结构和制备方法，该W波段射频管壳结构包括：基板，开设有贯穿基板两侧的通孔和盲槽，其中，基板分为相对设置的顶面基板和底面基板；导体层，形成于基板两侧，且基板两侧的导体层通过通孔互联；微带探针，半悬置于导体层上；芯片，设置于导体层上，与微带探针键合相连且互相隔离。本申请提供的W波段射频管壳具有宽宽带，低损耗的介质波导传输结构，同时具有精度高，一致性好，装配简单且气密的特点。
基本信息
专利标题 ：
W波段射频管壳结构和制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114609498A
申请号 ：
CN202210096166.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李仕俊王建徐达王磊常青松袁彪郭嘉杨晓楠刘晓红白银超杨彦锋孙永茂王树朋窦江超
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址 ：
河北省石家庄市合作路113号
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
张一
优先权 ：
CN202210096166.2
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R1/067 H01L25/16 H01L23/31 H01L23/66 H01L23/48 H01L21/56 H01P1/00 H01P11/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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