一种射频开关及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种射频开关及其制备方法，包括：衬底，所述衬底内具有若干深沟槽；外延层，覆盖所述深沟槽的内壁并延伸覆盖所述衬底；沟槽隔离结构，位于所述深沟槽内并至少遮盖所述深沟槽的开口，以使所述深沟槽内形成第一空气隙；栅极结构，位于所述外延层上，且位于相邻的所述深沟槽之间。由于所述第一空气隙的介电常数很低，所述第一空气隙及所述沟槽隔离结构对所述衬底与所述外延层起到了很好的隔离效果，避免当所述射频开关处于关断状态时仍有信号在所述衬底上传输的情况发生，使所述射频开关具有更好的隔离度，提升所述射频开关的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种射频开关及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420630A
申请号 ：
CN202210058557.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
裴梓任蒙飞
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202210058557.5
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L21/764
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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