双门极晶闸管壳体结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种双门极晶闸管壳体结构，包括陶瓷磁环，设于陶瓷磁环下部内的下管板，设于下管板上的下钼垫片，设于下钼垫片上的芯片，设于芯片上的上钼垫片，设于上钼垫片上的上管板，设于上管板下表面中部的上凹槽，设于下管板上表面中部的下凹槽，设于上凹槽和芯片上表面之间的上门极装置体，设于下凹槽和芯片之间的下门极装置体。本实用新型具有不容易出现门极引线短线、短路现象，稳定性好，可靠性高的特点。
基本信息
专利标题 ：
双门极晶闸管壳体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020989999.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-01
授权号 ：
CN212113680U
授权日 ：
2020-12-08
发明人 ：
刘东
申请人 ：
杭州西风半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市余杭区余杭经济技术开发区振兴东路22号
代理机构 ：
杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人 ：
阎忠华
优先权 ：
CN202020989999.8
主分类号 ：
H01L23/047
IPC分类号 ：
H01L23/047 H01L29/74
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
H01L23/043
中空容器，并有用于半导体本体的引线以及作为安装架的导电基座
H01L23/047
其他引线平行于基座的
法律状态
2020-12-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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