一种单晶二维半导体碲化钼薄膜与任意晶格失配单晶基底异质集...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种单晶二维半导体碲化钼薄膜与任意晶格失配单晶基底异质集成的方法。本发明突破了传统外延工艺异质集成不同种类单晶材料的必要条件——晶格匹配，利用化学气相沉积法制备的2H‑MoTe2具有横向外延相变的特殊生长机制，通过控制温度和时间使得单晶二维半导体碲化钼薄膜可以与任意单晶衬底直接生长集成，而不受到晶格匹配的限制。由此获得的异质集成结构可以同时利用碲化钼的半导体特性和基底的物理特性，提高器件的性能和增强器件功能化。并且，该方法适用于大面积制备，可以实现集成化的光电器件阵列的制备，为实现晶圆级、工业化的芯片制造提供基础，为二维半导体材料在集成电路和光电芯片方面的应用提供了基础。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶二维半导体碲化钼薄膜与任意晶格失配单晶基底异质集成的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373828A
申请号 ：
CN202110370754.6
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-04-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘宇徐晓龙李艳平叶堉
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
北京市海淀区颐和园路5号
代理机构 ：
北京万象新悦知识产权代理有限公司
代理人 ：
李稚婷
优先权 ：
CN202110370754.6
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/02 H01L31/032 H01L31/109
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20210407
申请日 : 20210407
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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