一种获得半导体异质结与超晶格材料的方法及设备
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及在半导体基质材料上获得原子级晶格材料的方法及专用生长设备。在一透明室内注入气相材料，并维持10-2托以下的真空条件，采用灯加热使气相材料反应在基底表面反应淀积，反应淀积温度在气相材料、热解温度或其它临界反应温度之上，重复上述过程可以获得多层同质或异质超晶格材料，最佳生长温度控制在气相材料热解温度或临界反应温度以上附近的温区。专用生长设备包括常规CVD设备、抽真空设备及灯加热设备、质量流量控制器，尤以计算机控制为佳。
基本信息
专利标题 ：
一种获得半导体异质结与超晶格材料的方法及设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1053511A
申请号 ：
CN90105603.0
公开（公告）日 ：
1991-07-31
申请日 ：
1990-01-10
授权号 ：
CN1024236C
授权日 ：
1994-04-13
发明人 ：
郑有炓张荣胡立群江若琏莫水元李学宁陈艺文
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
210008江苏省南京市汉口路南京大学
代理机构 ：
南京大学专利事务所
代理人 ：
陈建和
优先权 ：
CN90105603.0
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 C30B25/00 C23C16/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
1996-02-21 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-04-13 ：
授权
1991-07-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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