一种抗静电释放冲击的异质结半导体器件，结构包括：衬底，缓冲层，沟道层，钝化层，隔离介质层，有源工作区，自保护区和电阻区；自保护区包括：第一导电类型Ⅰ阱区、第一导电类型Ⅱ阱区及第二导电类型阱区；电阻区包括：与自保护区的第二导电类型阱区接触的连接金属，金属源电极与连接金属之间的呈现弯曲形状的势垒条层；自保护区与有源工作区通过隔离介质层隔离。本发明通过电阻区电子沟道产生的压降开启自保护区的三极管泄流路径，一方面，自保护区的三极管泄流能力强且不发生闩锁，另一方面，呈现弯曲形状的势垒条层相当于增加了栅源之间的电阻，既可以降低器件漏电，又可以通过改变其电阻值调节触发电压。