一种超晶格层、LED外延结构、显示装置及其制造方法
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摘要
本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种超晶格结构、LED外延结构、显示装置及其生产方法，该超晶格结构包括：至少两个依次层叠生长的超晶格单元；每个超晶格单元均包括依次层叠生长的第一n型GaN层、第二n型GaN层、第一n型GaInN层以及第二n型GaInN层；其中，第一n型GaN层沿生长方向的掺杂浓度固定，第二n型GaN层沿生长方向的掺杂浓度逐渐增大，第一n型GaInN层沿生长方向的掺杂浓度逐渐减小，第二n型GaInN层沿生长方向的掺杂浓度固定；本发明外延结构中的应力能在生产过程中得到有效地释放，故其能减少因应力的作用而导致n型GaN层与衬底之间的位错，有效地保证了LED的发光性能。
基本信息
专利标题 ：
一种超晶格层、LED外延结构、显示装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113451458A
申请号 ：
CN202010443852.3
公开（公告）日 ：
2021-09-28
申请日 ：
2020-05-22
授权号 ：
CN113451458B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
黄文洋林雅雯黄国栋黄嘉宏杨顺贵
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
熊永强
优先权 ：
CN202010443852.3
主分类号 ：
H01L33/04
IPC分类号 ：
H01L33/04 H01L33/12 H01L33/00 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-10-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/04
申请日 : 20200522
申请日 : 20200522
2021-09-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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