一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法
公开
摘要
本发明公开了一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，本发明的一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法通过对湿法刻蚀后的硅基材料进行预热处理和施加直流电场，以此来修正硅基材料自身的晶格缺陷以及其在湿法刻蚀过程中产生的晶格缺陷，在高温条件下配合电场力产生的电子风力作用在相关电子以及原子上，使硅基材料恢复其原本的状态，从而提高硅基材料的品质因数，提升其应用性能并增大其应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300355A
申请号 ：
CN202111637888.6
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张俐楠靳力春刘红英吴立群王洪成
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道2号大街1158号
代理机构 ：
浙江千克知识产权代理有限公司
代理人 ：
黎双华
优先权 ：
CN202111637888.6
主分类号 ：
H01L21/322
IPC分类号 ：
H01L21/322 H01L21/02 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/322
改善其内部性能的，例如产生内部缺陷
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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