一种增强锑基超晶格材料光致发光信号的方法
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摘要
本发明公开一种增强锑基超晶格材料光致发光信号的方法，包括：将GaSb衬底进行预处理，以去除水汽和有机物；将GaSb衬底升温，高温去除GaSb衬底的氧化层；将GaSb衬底降温，在GaSb衬底生长GaSb缓冲层；对GaSb缓冲层升温再进行退火处理；对GaSb缓冲层降温，通过控制生长温度、生长速率、束流比以及生长界面在GaSb缓冲层上生长Sb基超晶格材料；在Sb基超晶格材料表面生长的GaSb层，降温取出Sb基超晶格材料。本发明通过对Sb基超晶格材料进行光致发光测试，光致发光信号极大增强，发光峰峰位清晰，半峰宽较小，可以准确测试超晶格材料带隙，使得Sb基超晶格材料能够广泛应用于红外光电器件，提升红外光电器件的检测精度。
基本信息
专利标题 ：
一种增强锑基超晶格材料光致发光信号的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112510113A
申请号 ：
CN202011245205.8
公开（公告）日 ：
2021-03-16
申请日 ：
2020-11-10
授权号 ：
CN112510113B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
邢伟荣申晨刘铭周朋李乾
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十一研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路4号
代理机构 ：
工业和信息化部电子专利中心
代理人 ：
罗丹
优先权 ：
CN202011245205.8
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/0304 H01L31/0352 H01L31/102
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-04-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20201110
申请日 : 20201110
2021-03-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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