一种间接检测MLCC介质陶瓷晶格缺陷的方法
授权
摘要
本申请涉及陶瓷元件介质陶瓷晶格缺陷检测领域,公开了一种间接检测MLCC介质陶瓷晶格缺陷的方法。该方法包括如下步骤:准备材料:根据需求准备测试夹具、高温老化箱、安培表、万用表、绝缘测定机;安装待测品:将待测品串联安装在测试夹具上;确认状态:确认待测品安装状态良好;调节测试条件:将待测品放入高温老化箱并预设测试温度与测试电压;设定取值时间:设定电流采集取值时间间隔;开启测试:开启高温老化箱,待温度达到预设值后使老化箱处于保温状态进行测试;定时取值:根据预定时间间隔对待测品的电流取值;计算各时刻的绝缘阻值。通过上述方式,可有效的间接检测出MLCC介质陶瓷晶格缺陷,且操作简单直观。
基本信息
专利标题 :
一种间接检测MLCC介质陶瓷晶格缺陷的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113552419A
申请号 :
CN202111104267.1
公开(公告)日 :
2021-10-26
申请日 :
2021-09-18
授权号 :
CN113552419B
授权日 :
2022-06-14
发明人 :
李茜
申请人 :
广东微容电子科技有限公司
申请人地址 :
广东省云浮市罗定市双东街道创业二路1号微容科技园
代理机构 :
深圳市国高专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
陈冠豪
优先权 :
CN202111104267.1
主分类号 :
G01R27/02
IPC分类号 :
G01R27/02 G01R31/00 G01N27/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R27/00
测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置
G01R27/02
电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性,例如时间常数的实值或复值测量
法律状态
2022-06-14 :
授权
2021-11-12 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 27/02
申请日 : 20210918
申请日 : 20210918
2021-10-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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