一种InAs/GaSb超晶格生长方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种InAs/GaSb超晶格生长方法，包括：在Sb源提供的Sb束流保护下，基于GaSb衬底生长缓冲层；打开As源针阀至第一开度，将生长氛围从Sb束流保护转变为As束流保护，其中，所述第一开度大于所需的目标开度，所述目标开度对应于所需的As束流，以及在第一开度的As束流保护氛围下浸润预设时长后，降低As针阀开度至所述目标开度；执行第一周期的InAs/GaSb超晶格生长；在所述第一周期结束前，将As源针阀开启至所述目标开度，以在As束流保护保护下，执行第二周期的InAs/GaSb超晶格生长。本公开的方法先将打开As源针阀至第一开度，并持续指定的时长，再调整至所需的目标开度，从而能够使As束流快速达到期望水平，提高InAs/GaSb超晶格的生长效率。
基本信息
专利标题 ：
一种InAs/GaSb超晶格生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114457419A
申请号 ：
CN202210049044.8
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡雨农周朋邢伟荣刘铭
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十一研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路4号
代理机构 ：
工业和信息化部电子专利中心
代理人 ：
焉明涛
优先权 ：
CN202210049044.8
主分类号 ：
C30B25/14
IPC分类号 ：
C30B25/14 C30B25/16 C30B25/18 C30B29/40 C30B29/68 H01L31/0352 H01S5/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/14
气体供给或排出用的装置；反应气流的变换
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/14
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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