非制冷红外探测器及其像素级封装结构
授权
摘要
本发明涉及一种像素级封装结构,包括设于红外CMOS读出电路上的微腔,所述微腔包括供封装部件安置的第一层真空空间以及设于所述第一层真空空间上的第二层真空空间;所述第一层真空空间与所述第二层真空空间之间的腔壁上开设有第一排气孔,所述第二层真空空间远离所述第一层真空空间的一侧开设有两个第二排气孔,所述第一排气孔和两个所述第二排气孔连通。还提供一种非制冷红外探测器,还包括上述的像素级封装结构,所述微腔设于所述红外CMOS读出电路上。本发明的通过设置第一排气孔和两个第二排气孔,三个排气孔组合形成Y型结构,可极大地减小封孔的难度,从而提高整个8寸范围内填孔的均匀性,极大地提高了探测器性能整体的均匀性。
基本信息
专利标题 :
非制冷红外探测器及其像素级封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112539846A
申请号 :
CN202011399237.3
公开(公告)日 :
2021-03-23
申请日 :
2020-12-04
授权号 :
CN112539846B
授权日 :
2022-04-22
发明人 :
黄立叶帆马占锋曾国胜汪超王春水
申请人 :
武汉高芯科技有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼
代理机构 :
北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 :
胡建文
优先权 :
CN202011399237.3
主分类号 :
G01J5/10
IPC分类号 :
G01J5/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分,偏振、相位或脉冲特性的测量;比色法;辐射高温测定法
G01J5/00
辐射高温测定法
G01J5/10
用电辐射检测器
法律状态
2022-04-22 :
授权
2021-04-09 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01J 5/10
申请日 : 20201204
申请日 : 20201204
2021-03-23 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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