一种Si衬底InGaN可见光探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种Si衬底InGaN可见光探测器，所述探测器包括从下到上依次排布的Si衬底、缓冲层、InGaN功能层和Ni/Au金属层电极，所述缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层。在Si衬底上外延生长缓冲层，在缓冲层上生长InGaN功能层；在InGaN功能层上表面进行光刻，确定电极形状，将Ni/Au金属层电极蒸镀在InGaN功能层上表面。优化探测器件的芯片参数，提升了可见光波段的量子效率；在探测芯片表面进行可见光增敏微纳结构设计，有效降低表面对可见光的反射损耗，增强可见光谐振吸收，实现高灵敏度高带宽探测。
基本信息
专利标题 ：
一种Si衬底InGaN可见光探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921214706.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-30
授权号 ：
CN212011003U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
王文樑李国强孔德麒杨昱辉
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
何淑珍
优先权 ：
CN201921214706.2
主分类号 ：
H01L31/108
IPC分类号 ：
H01L31/108 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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