按照本发明的第一方面，涉及一种用于制造衬底的方法，该衬底包括半导体材料的薄层和支撑衬底，通过将具有第一密度的空位团的施主衬底的一部分转移到支撑衬底上而形成所述的薄层，其特征在于：该方法包括：在将施主衬底的所述部分转移到支撑衬底之后，补救存在于被转移到支撑衬底上的施主衬底的该部分中的空位团的步骤，使其从第一密度降低到第二密度；在所述补救步骤之前，采用一个或几个步骤使得不增加在施主衬底的所述部分中具有第一密度的空位团的尺寸。本发明还涉及通过此方法获得的SeOI衬底，以及用于循环利用衬底的方法，该衬底具有空位团并且已经被用作施主衬底，从其上获得薄层并转移到支撑衬底上。