晶格调谐半导体衬底的形成
专利权的视为放弃
摘要
一种形成晶格调谐半导体衬底的方法，包括如下步骤：在硅衬底(10)的表面上限定可优先形成位错的条纹状区域(16)；在所述条纹上生长第一SiGe层(18)，使得第一位错(20)优先穿过所述条纹区域之间的第一SiGe层延伸，从而减轻在第一SiGe层中横切于所述条纹的方向上的应变；并且在所述第一SiGe层的顶部生长第二SiGe层，使得第二位错(22)优先形成于所述第二SiGe层中，从而减轻在所述第二SiGe层中横切于第一方向(20)的方向上的应变。由此形成的位错用于在两个相互横切的方向上对材料进行应力释放，并且在空间上分离，从而使这两套位错不能彼此互相作用。因此，大幅减小了螺旋位错密度和表面粗糙度，进而通过减少原子晶格的断裂来提高虚拟衬底的性能，其中原子晶格的断裂可能导致有源器件中的电子散射和电子运动速度的下降。
基本信息
专利标题 ：
晶格调谐半导体衬底的形成
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101027754A
申请号 ：
CN200580031942.5
公开（公告）日 ：
2007-08-29
申请日 ：
2005-09-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蒂莫西·约翰·格拉斯比阿达姆·丹尼尔·凯普韦尔伊万·胡贝特·克需斯韦尔·帕克
申请人 ：
高级硅有限公司
申请人地址 ：
英国考文垂
代理机构 ：
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 ：
陆弋
优先权 ：
CN200580031942.5
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2010-03-10 ：
专利权的视为放弃
2007-10-24 ：
实质审查的生效
2007-08-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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