半导体存储器

授权

摘要

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体存储器。所述半导体存储器包括：衬底，所述衬底内具有多条字线以及位于相邻两条字线之间的导电接触区；沟槽，位于所述导电接触区内；接触窗口，位于所述导电接触区内，所述接触窗口位于所述沟槽上方且与所述沟槽连通，所述接触窗口的宽度大于所述沟槽的宽度；接触插塞，接触窗口，位于所述导电接触区内，所述接触窗口位于所述沟槽上方且与所述沟槽连通，所述接触窗口的宽度大于所述沟槽的宽度。本实用新型增大了接触插塞与导电接触区之间的接触面积，从而降低接触插塞与导电接触区之间的接触电阻，改善了半导体存储器的性能，提高了半导体存储器的良率。

基本信息

专利标题：

半导体存储器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921723081.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-10-14

授权号：

CN210272360U

授权日：

2020-04-07

发明人：

江文涌

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

孙佳胤

优先权：

CN201921723081.2

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108