半导体结构及存储器

授权

摘要

本实用新型实施例涉及一种半导体结构及存储器，半导体结构包括：衬底、位于衬底内的栅极结构、第一源漏掺杂区以及第二源漏掺杂区；位于所述衬底内的反熔丝电容，所述第一源漏掺杂区作为所述反熔丝电容的电极板，所述反熔丝电容还包括：位于所述第一源漏掺杂区侧壁表面的电容介质层以及位于所述电容介质层表面的电容导电层。本实用新型实施例中，反熔丝电容以及栅极结构设置于衬底内，且利用控制栅晶体管中的源极或者漏极作为反熔丝电容的下电极板，提供一种具有全新结构的半导体结构。

基本信息

专利标题：

半导体结构及存储器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920754097.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-05-23

授权号：

CN210073860U

授权日：

2020-02-14

发明人：

杨正杰

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

成丽杰

优先权：

CN201920754097.3

主分类号：

H01L29/41

IPC分类号：

H01L29/41 H01L27/11568