半导体结构的检测方法、装置、半导体结构及存储器
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开了一种半导体结构的检测方法、装置、半导体结构及存储器。所述半导体结构包括目标晶体管的第一测试结构和第二测试结构；所述方法包括：检测所述第一测试结构中第一阱区与第一栅极结构之间的第一电容；检测所述第二测试结构中第二阱区与第二栅极结构之间的第二电容；根据所述第一电容和所述第二电容，计算所述目标晶体管的总寄生电容。本发明实施例能够提高目标晶体管的寄生电容的检测准确性。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的检测方法、装置、半导体结构及存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388477A
申请号 ：
CN202210021979.5
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周婷婷
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
李莎
优先权 ：
CN202210021979.5
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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