本申请公开了一种半导体结构的检测方法及其检测装置。该检测方法包括建立扭曲值与至少一个电学性能参数之间的关系对照表；获取透射电子显微镜输出的半导体结构的剖面图像，包括至少一个孔的截面图形，截面图形所在平面垂直于孔的轴向；识别孔的多个边界点，获得多个边界点对应的多个边界坐标；根据多个边界坐标进行椭圆的数值拟合，并获得椭圆的长轴与短轴；计算长轴与短轴的差值，将差值作为孔的扭曲值；以及根据关系对照表和孔的扭曲值，判断孔对应的电学性能参数是否满足合理范围。该检测方法将每个孔的长轴与短轴差值作为孔的扭曲程度的表征参数，从而量化了孔的扭曲程度，最终达到量化分析扭曲程度对电学性能影响的目的。