半导体结构的缺陷检测方法、装置、检测设备及存储介质
实质审查的生效
摘要
本申请实施方式提供了一种半导体结构的缺陷检测方法、装置、检测设备及存储介质。部分实施例中，半导体结构的缺陷检测方法包括：识别半导体结构的待测图像中的沟道孔的边界轮廓的凸点；确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离；以及根据所确定出的偏移距离确定沟道孔的缺陷程度。本申请实施方式提供的半导体结构的缺陷检测方法、装置、检测设备及存储介质可检测半导体结构的沟道孔的缺陷。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的缺陷检测方法、装置、检测设备及存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114549450A
申请号 ：
CN202210148665.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑文凯陈金星陈广甸汪严莉
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202210148665.1
主分类号 ：
G06T7/00
IPC分类号 ：
G06T7/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06T
一般的图像数据处理或产生
G06T7/00
图像分析
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06T 7/00
申请日 : 20220218
申请日 : 20220218
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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