半导体结构及存储器
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体结构及存储器，半导体结构包括：衬底；下电极层，所述下电极层位于部分所述衬底上；绝缘介质层，所述绝缘介质层位于所述下电极层上，且所述绝缘介质层暴露出部分下电极层表面；上电极层，所述上电极层位于所述绝缘介质层上，所述上电极层、所述绝缘介质层以及所述下电极层构成反熔丝电容。本实用新型有利于改善半导体结构的电学性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921022424.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-02
授权号 ：
CN210245492U
授权日 ：
2020-04-03
发明人 ：
刘志拯
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN201921022424.2
主分类号 ：
H01L23/525
IPC分类号 ：
H01L23/525
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/525
具有可适用互连装置的
法律状态
2020-04-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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