半导体结构及其制备方法、三维存储器
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器,涉及半导体芯片技术领域,旨在解决台阶区的结构制备工艺困难的问题。半导体结构包括:叠层结构,包括沿第一方向交替叠置的多个绝缘层和多个栅导电层;叠层结构包括沿第三方向交替设置的墙体和台阶结构,台阶结构包括沿第二方向排列的多个台阶组,每个台阶组包括多个台阶;所述多个台阶组包括沿所述第二方向排列的第一台阶组群和第二台阶组群;所述第一台阶组群包括至少一个第一类台阶组;第一类台阶组和,墙体中在第三方向上对应第一类台阶组的部分,高度相同。上述半导体结构应用于三维存储器中,以实现数据的读取和写入操作。
基本信息
专利标题 :
半导体结构及其制备方法、三维存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114284281A
申请号 :
CN202111643742.2
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈阳王迪张中周文犀夏志良霍宗亮
申请人 :
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 :
北京中博世达专利商标代理有限公司
代理人 :
申健
优先权 :
CN202111643742.2
主分类号 :
H01L27/11524
IPC分类号 :
H01L27/11524 H01L27/11548 H01L27/11556 H01L27/1157 H01L27/11575 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器;其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的,例如,NAND
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11524
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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