半导体结构及其制备方法、三维存储器
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统、电子设备,涉及半导体芯片技术领域,旨在降低工艺难度。半导体结构的制备方法包括:在衬底的第一侧形成叠层结构;形成沟道孔;在沟道孔内形成第一沟道结构,第一沟道结构包括:存储功能层和第一沟道层以及插塞,第一沟道结构包括第一部分和第二部分,第一部分为第一沟道结构位于衬底中的部分,第一部分至少包括存储功能层的底壁以及第一沟道层的底壁,第二部分为第一沟道结构位于叠层结构中的部分;去除衬底以及第一部分,暴露出第二部分的部分表面;经由部分表面,对第一沟道层进行处理,得到第二沟道层;形成源极层。所制备的半导体结构用以实现数据的读取和写入操作。
基本信息
专利标题 :
半导体结构及其制备方法、三维存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114361170A
申请号 :
CN202111632484.8
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-12-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘沙沙毛晓明李思晢黄文龙霍宗亮
申请人 :
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 :
北京中博世达专利商标代理有限公司
代理人 :
申健
优先权 :
CN202111632484.8
主分类号 :
H01L27/11524
IPC分类号 :
H01L27/11524 H01L27/11548 H01L27/11556 H01L27/1157 H01L27/11575 H01L27/11582 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器;其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的,例如,NAND
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11524
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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