深紫外LED器件结构及其制备方法
授权
摘要
本发明公开一种深紫外LED器件结构及其制备方法，其中，深紫外LED器件结构包括第一基体；生长在第一基体上的n型层，n型层为Al组分在0.5‑1之间的高Al组分的n‑AlGaN层；生长在n型层上的多量子阱层和过渡层；依次生长在多量子阱层上的p型层和p电极；以及生长在过渡层上的n电极；过渡层由至少两种Al组分不同的n‑AlGaN交替生长形成，且过渡层的与n型层接触的底层生长层由Al组分在0.5‑1之间的n‑AlGaN生长形成，过渡层的表面生长层由Al组分在0.5以下的n‑AlGaN生长形成。本发明在减小n型层与过渡层晶格失配的同时，将n电极生长在Al组分在0.5以下的n‑AlGaN上，使得n电极在生长在过渡层上时能够直接与过渡层之间形成n型欧姆接触或通过低温退火处理后与过渡层之间形成n型欧姆接触。
基本信息
专利标题 ：
深紫外LED器件结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112750925A
申请号 ：
CN202011645426.4
公开（公告）日 ：
2021-05-04
申请日 ：
2020-12-31
授权号 ：
CN112750925B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
李祈昕陈志涛张康刘宁炀何晨光吴华龙
申请人 ：
广东省科学院半导体研究所
申请人地址 ：
广东省广州市天河区长兴路363号
代理机构 ：
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李彬彬
优先权 ：
CN202011645426.4
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/12 H01L33/32 H01L33/36 H01L33/00
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20201231
申请日 : 20201231
2021-05-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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