新型高抗动态闩锁能力的功率器件
授权
摘要

本实用新型公开了一种新型高抗动态闩锁能力的功率器件,包括多个元胞结构,每个元胞结构包括衬底,衬底顶部设有沟槽、第一阱区和第二阱区,沟槽内设有沟槽栅,第一阱区和第二阱区分别设于沟槽两侧,第一阱区和第二阱区顶部分别设有第一源区和第二源区,第一源区和第二源区分别设于沟槽两侧,第一源区、第二源区和沟槽栅顶部设有金属层,其中,第一源区与第一阱区之间设有第一绝缘层,第二源区与第二阱区之间设有第二绝缘层。本实用新型能够在不影响阈值电压的情况下,实现高抗动态闩锁能力。

基本信息
专利标题 :
新型高抗动态闩锁能力的功率器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022302550.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-16
授权号 :
CN213459737U
授权日 :
2021-06-15
发明人 :
张景超戚丽娜井亚会林茂俞义长赵善麒
申请人 :
江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址 :
江苏省常州市新北区华山中路18号
代理机构 :
常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
陈红桥
优先权 :
CN202022302550.2
主分类号 :
H01L27/085
IPC分类号 :
H01L27/085  H01L27/088  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
法律状态
2021-06-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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