一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开了一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片。该掺杂量子点的图形化衬底制备方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成一层异质层，在所述异质层形成的过程中同步掺杂量子点；对所述异质层进行图形化，形成多个异质微结构，所述异质微结构中掺杂有所述量子点。本发明实施例解决了传统白光LED中荧光粉可靠性较低的问题，不仅可使异质微结构实现了光线激发转换LED颜色的功能，减少了封装过程中涂覆荧光粉的工艺步骤；同时还可以使量子点密封于异质微结构中，隔绝外部环境，克服传统涂覆荧光粉易于老化脱落的缺点，有助于实现色彩还原度好、抗老化变黄的白光LED。
基本信息
专利标题 ：
一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520278A
申请号 ：
CN202011314754.6
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张剑桥肖桂明陆前军
申请人 ：
广东中图半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区工业北二路4号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN202011314754.6
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/06 H01L33/22
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20201120
申请日 : 20201120
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
