一种在绝缘衬底上制备高精度、大面积纳米结构的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种在绝缘衬底上制备高精度、大面积纳米结构的方法，在旋涂的电子束胶层与即将用于制备成微纳结构的薄膜层之间引入一层或多层导电层，增大电子束曝光过程中高能电子的释放速率，减小局域电场，从而有效避免大量电荷累积在绝缘衬底表面，为后续进一步制备出具有小尺寸、高密度以及大面积微纳结构的纳米电子器件奠定了一定的技术基础。
基本信息
专利标题 ：
一种在绝缘衬底上制备高精度、大面积纳米结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335213A
申请号 ：
CN202111359465.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张蜡宝陈奇刘梦欣李飞燕何广龙康琳吴培亨
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
颜盈静
优先权 ：
CN202111359465.2
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L21/027 B82Y40/00
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0352
申请日 : 20211117
申请日 : 20211117
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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