一种大面积纳米线阵列膜及其制备方法
公开
摘要
本发明属于纳米线技术领域，具体涉及一种大面积纳米线阵列膜及其制备方法。本发明在模板法的基础上，通过氟化物等离子体刻蚀三氧化二铝、二氧化钛或二氧化锆等氧化物管膜，裸露出其中的沉积碳、金属、合金、氧化物等填充物，从而得到大面积纳米线阵列膜，而刻蚀三氧化二铝、二氧化钛或二氧化锆等氧化物管膜的副产物氟化物则升华脱离体系。该方法易于控制等离子体刻蚀的进程，副产物易分离，降低了制备难度。
基本信息
专利标题 ：
一种大面积纳米线阵列膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114538413A
申请号 ：
CN202210187658.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
方东索军焦可心
申请人 ：
昆明理工大学
申请人地址 ：
云南省昆明市五华区一二一大街文昌路68号
代理机构 ：
北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘江炀
优先权 ：
CN202210187658.2
主分类号 ：
C01B32/15
IPC分类号 ：
C01B32/15
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/15
纳米级碳材料
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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