本发明提出一种AlN纳米线的制备方法，包括步骤1、混料：将Ti粉、Al粉和C粉进行混合；步骤2、研磨：在球磨罐中加入研磨球，将步骤1所得原料放入球磨罐中，在球磨罐中倒入酒精直至将原料完全盖住，把球磨罐放入球磨机中固定，湿磨8h~12h；步骤3、烘干：将研磨后的物质在水浴环境下进行烘干，烘干温度为50℃~60℃；步骤4、过筛：将烘干后的物质进行过筛，以将研磨球与原料进行分离；步骤5、烧结与取料：将步骤4所得的原料在氮气环境下进行烧结，烧结温度达到1300℃或以上时，保持该温度0.5h~4h，通过气相沉积法制备AlN纳米线，当温度下降后，即可取出烧结产物，即AlN纳米线。通过上述制备方法制备的纳米线为AlN单晶，其直径范围在100‑200nm，长度范围以5‑10μm居多。