一种高精度纳米硅材料的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种高精度纳米硅材料的制备方法,包括以下步骤:将洁净硅片浸入氯金酸和氢氟酸混合而成的镀液中,在硅片表面沉积一层金纳米薄膜;取出沉积完成后的硅片,用去离子水清洗干净残留液,用氮气吹干得到镀金硅片;将镀金硅片浸入由氢氟酸和硝酸铁混合而成的腐蚀液中,刻蚀得到纳米硅材料。本发明所提供的制备方法,简单易操作,实用性强;该制备方法解决了金属颗粒在催化刻蚀纳米硅过程中在腐蚀液中稳定性不佳的问题,大大提高了纳米硅材料的精度,为高精度纳米材料的制备提供了一种技术手段,推动了纳米硅材料在电子器件等领域的研究和产业化的进一步发展。
基本信息
专利标题 :
一种高精度纳米硅材料的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114314502A
申请号 :
CN202111638317.4
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
伍林杨小于胡雅刘盈张保国廖致远周义来陈奡
申请人 :
武汉科技大学
申请人地址 :
湖北省武汉市青山区和平大道947号
代理机构 :
武汉开元知识产权代理有限公司
代理人 :
马辉
优先权 :
CN202111638317.4
主分类号 :
B81C1/00
IPC分类号 :
B81C1/00 B82Y40/00 C23C18/42
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81C 1/00
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载