圆晶级大面积半导体纳米片及其制备方法
授权
摘要
一种圆晶级大面积半导体纳米片及其制备方法。该制备方法通过调节合金催化剂的组分、利用合金催化剂的偏析来实现半导体材料从一维纳米线到二维纳米片的转变，整个过程无需借助光刻及电子束曝光等微纳加工设备，工艺简单，易于实现二维半导体纳米片材料的大规模生产。此外，本公开制备的二维半导体纳米片密度可控，在衬底上可以得到超高密度的二维高质量纳米片，可以大大节约片状半导体纳米材料的生产成本。
基本信息
专利标题 ：
圆晶级大面积半导体纳米片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109962010A
申请号 ：
CN201910219690.2
公开（公告）日 ：
2019-07-02
申请日 ：
2019-03-21
授权号 ：
CN109962010B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
潘东赵建华
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
任岩
优先权 ：
CN201910219690.2
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C30B29/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-07-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20190321
申请日 : 20190321
2019-07-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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