一种降低晶圆级胶键合气泡的深pad晶圆级制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种降低晶圆级胶键合气泡的深pad晶圆级制备方法，除采用通过温度控制胶的流速以及涂布合理的胶量来控制Pad气泡的产生，尤其采用晶圆在键合腔室内多次反复预抽真空，完成晶圆排气泡过程，同时结合低温预热的方法使得键合胶在低粘度条件下流速变慢，以降低残胶溢胶风险，且配合低速率阶梯式升温，改变传统的一步升温键合模式，气泡不良率基本得到控制，基本在千分之五左右。
基本信息
专利标题 ：
一种降低晶圆级胶键合气泡的深pad晶圆级制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566436A
申请号 ：
CN202210178297.5
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
霍瑞霞陈雷达刘建军陈新鹏蒲晓龙
申请人 ：
西安微电子技术研究所
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路198号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
朱海临
优先权 ：
CN202210178297.5
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/48 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
