纳米图形衬底上生长的AlInGaN紫外发光二极管及其制造...
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摘要
本发明公开了一种AlInGaN紫外发光二极管的制备方法。首先在蓝宝石衬底上制备纳米图形衬底，衬底边缘有刻蚀圈，在以上图形衬底上低温生长一层AlN薄层，随后提高生长温度，采用低V/III、高温、低压、快速生长模式生长非掺杂的AlInGaN层，快速覆盖纳米图形。然后依次生长N型AlInGaN接触层，AlInGaN量子阱，AlInGaN电子阻挡层，最后生长P型AlInGaN接触层。因为AlN薄膜和纳米图形衬底之间形成生长的纳孔洞空洞，这些空洞会形成很好的紫外光反射粗糙面，形成高效紫外出光。纳米图形衬底上侧向外延生长模式，能够有效降低AlN薄膜的位错密度，提升AlInGaN紫外发光二极管的内量子效率。本发明能够从内量子效率和提取效率方面极大地改善AlInGaN紫外发光二极管的性能。
基本信息
专利标题 ：
纳米图形衬底上生长的AlInGaN紫外发光二极管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112687772A
申请号 ：
CN202011558591.6
公开（公告）日 ：
2021-04-20
申请日 ：
2020-12-25
授权号 ：
CN112687772B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
至芯半导体（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区河庄街道江东七路599号智造谷
代理机构 ：
北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
彭随丽
优先权 ：
CN202011558591.6
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 B82Y40/00 H01L33/06 H01L33/12 H01L33/14 H01L33/22 H01L33/32 H01L33/46
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-05-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20201225
申请日 : 20201225
2021-04-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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