一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法，涉及半导体技术领域，本发明以化学腐蚀方法为基础，采用光照提供促进腐蚀过程的电子‑空穴对，并辅以合适的金属掩膜与氧化剂以实现氧化镓衬底图案化。本发明的一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法在提高图案化精度、提高过程重复性、降低工艺成本等方面具有较大优势，有利于实现规模化、大面积及后续高性能器件的制作，从而为相关器件的应用奠定良好基础。
基本信息
专利标题 ：
一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496805A
申请号 ：
CN202210115954.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张辉金竹刘莹莹夏宁杨德仁
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区市心北路99号5楼
代理机构 ：
杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
姚宇吉
优先权 ：
CN202210115954.1
主分类号 ：
H01L21/461
IPC分类号 ：
H01L21/461 H01L21/467 H01L29/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46
用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/461
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/461
申请日 : 20220207
申请日 : 20220207
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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