高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置

授权

摘要

本申请涉及一种高密度图案化加工的衬底‑掩模板原位保持装置，包括真空连接台、底座、衬底保持器和掩模板保持器，所述真空连接台设置第一快速插口和气口；所述底座的上端面设置有第一凸台和第一气孔，所述底座连接在所述真空连接台的上端面、且所述第一气孔与所述气口连通；衬底保持器设置保持槽、连接孔和紧固组件；掩模板保持器设置有镂空孔和悬臂，所述悬臂的上端面设置有第二快速插口、下端面设置有第二气孔。如此设置，本装置结构简单，便于操作，在对准操作后即可将衬底和掩模板保持固定，有利于实现高密度阵列结构薄膜器件的高效制备，并在薄膜器件制备各个工艺之间样品的快速转移。

基本信息

专利标题：

高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022332420.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-10-19

授权号：

CN212934585U

授权日：

2021-04-09

发明人：

邓元王赫赵未昀张玮峰华小社

申请人：

北京航空航天大学杭州创新研究院

申请人地址：

浙江省杭州市滨江区长河街道创慧街18号

代理机构：

北京细软智谷知识产权代理有限责任公司

代理人：

张雄

优先权：

CN202022332420.3

主分类号：

H01L21/683

IPC分类号：

H01L21/683 H01L21/68