一种单次生长制备复合多量子阱结构的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种单次生长制备复合多量子阱结构的方法，它涉及金属有机物化学气相淀积生长多量子阱结构的技术领域，其目的是为了解决现有技术存在的两次生长和键合工艺造成的原材料和设备资源的浪费。该制备方法的步骤为：采用蓝宝石、碳化硅或氧化锌材料作基板，在基板上制备成核层；在成核层上制备过渡层；在过渡层上制备半导体层；在半导体层上制备第一多量子阱层；在第一多量子阱层上制备第二多量子阱层，第二多量子阱层与第一多量子阱层之间，可具有一半导体隔离层。该方法可用于在一次生长过程中制备不同组份的多个InxGa1－xN/GaN多量子阱，并可进行复合波长量子阱的实验和生产。
基本信息
专利标题 ：
一种单次生长制备复合多量子阱结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1851942A
申请号 ：
CN200610041962.7
公开（公告）日 ：
2006-10-25
申请日 ：
2006-03-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李培咸郝跃张进城周小伟
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
710071陕西省西安市太白路2号
代理机构 ：
陕西电子工业专利中心
代理人 ：
韦全生
优先权 ：
CN200610041962.7
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2008-09-03 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-12-20 ：
实质审查的生效
2006-10-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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